芯思原出席第九届上海FD-SOI论坛 展示创新BLE MCU技术
2024年10月23日，第九届上海FD-SOI论坛在浦东香格里拉酒店圆满举办。本次论坛由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主办，SEMI中国和SOI国际产业联盟协办。约300位来自衬底、晶圆厂、IDM、芯片设计公司和系统厂商等FD-SOI产业链的海内外重要嘉宾齐聚一堂，共同探讨FD-SOI技术的发展与应用。
芯原创始人、董事长兼总裁戴伟民博士为论坛开幕致辞，回顾了FD-SOI技术的发展历程及其产业发展的里程碑事件。该论坛已举办多届，汇聚了产业链上下游的公司和行业专家，成为了与会者深入探讨FD-SOI技术的平台，有效推动了这一技术的持续发展与创新。
戴伟民 / 芯原创始人、董事长兼总裁
芯思原研发总监高挺挺应邀出席了此次论坛，并发表了主题为“基于FD-SOI工艺的BLE MCU一体化设计”的演讲，他提到FD-SOI技术在低功耗和抗干扰能力上的优势，尤其是在高频应用和低功耗应用领域的重要性。芯思原的BLE MCU方案不仅降低了系统功耗，还通过减少PCB尺寸和提高系统级可靠性，为客户提供了更加便捷的使用体验。
高挺挺 / 芯思原研发总监
在低功耗设计方面，高挺挺分享了在系统级、架构级、设计级和晶体管级四个层面的功耗降低策略。芯思原的低功耗架构设计，包括丰富的低功耗模式和智能电源开关(SPSW)设计，使得BLE MCU在深睡眠模式下的功耗仅为700nA，加上256K SRAM保留的情况下也仅为2.1uA。
他还强调了安全性设计的重要性，并介绍了芯思原在安全性设计方面的成果，包括支持AES、SHA、RSA、ECC等对称和非对称算法的Security IP。
随着通信技术进一步发展，物联网设备的数量将持续增长，低功耗、高性能BLE MCU的需求也会逐步增加。FD-SOI在低功耗和抗干扰能力上优势明显，是BLE MCU及无线芯片体现性能的关键技术之一。芯思原将携手业界同仁，共同推动FD-SOI工艺的创新和应用，为半导体产业的发展贡献自己的力量。
